In einem bedeutenden technologischen Fortschritt hat Infineon Technologies einen neuartigen Silizium-Dünnwafer für Leistungshalbleiter entwickelt, der nur 20 Mikrometer dick ist. Dies ist nicht nur ein beeindruckendes technisches Meisterwerk, sondern auch ein entscheidender Schritt hin zu effizienteren Energieanwendungen. Zum Vergleich: Diese neue Wafer-Größe ist nur ein Viertel so dick wie ein menschliches Haar und halb so dick wie die bereits fortschrittlichsten Silizium-Wafer mit Dicken zwischen 40 und 60 Mikrometern.
Diese Entwicklung ist besonders wichtig für die Leistungselektronik, wo Effizienz und Energieeinsparung zunehmend an Bedeutung gewinnen. Infineon hat sich einen Namen gemacht, indem es Lösungen anbietet, die den Energieverbrauch von Technologien und Geräten reduzieren. Durch die Verwendung des 20 Mikrometer dicken Dünnwafer plant das Unternehmen, die Energieeffizienz und Leistungsdichte seiner Produkte, insbesondere in den Bereichen KI-Rechenzentren und Motorsteuerungen, erheblich zu steigern.
Der Weg zur Hochleistungs-Technologie
Ein hervorstechender Vorteil dieser neuerdings hergestellten Wafer-Technologie liegt in der signifikanten Reduktion des Substratwiderstands um 50 Prozent, was zu über 15 Prozent weniger Leistungsverlust im Vergleich zu konventionellen Wafern führt. Dies ist besonders kritisch in KI-Rechenzentren, wo die Systeme von hohen Spannungen auf unter 1,8 Volt heruntergeregelt werden müssen. Durch die vertikale Trench-MOSFET-Designstruktur kann eine sehr effiziente Stromversorgung direkt beim Prozessor erreicht werden, was die Energieverluste minimiert.
Für die Ingenieure bei Infineon war die Entwicklung dieses ultradünnen Wafers eine Herausforderung, da sogar das Metallgehäuse, das den Chip hält, dicker als 20 Mikrometer ist. Zudem ist die Kontrolle der Krümmung und der separaten Struktur des Wafers entscheidend für die Weiterverarbeitung im Backend.
Jochen Hanebeck, der CEO von Infineon Technologies, betont die große Bedeutung dieser Errungenschaft: „Der Durchbruch der Ultradünnwafer-Technologie ist ein bedeutender Schritt vorwärts für energieeffiziente Stromversorgungslösungen und hilft uns, das volle Potenzial der globalen Trends Dekarbonisierung und Digitalisierung auszuschöpfen. Dieses technologisches Meisterwerk festigt unsere Position als Innovationsführer in der Branche, indem wir mit Si, SiC und GaN alle drei relevanten Halbleitermaterialien beherrschen.”
Für aktuelle Informationen über die Fortschritte und technologische Entwicklungen von Infineon ist mehr zu lesen auf www.elektronikpraxis.de.
