Die Infineon Technologies AG hat jüngst einen bedeutenden Fortschritt in der Halbleitertechnologie erzielt. Mit der Entwicklung eines 20 Mikrometer dicken Silizium-Dünnwafer, der nahezu revolutionär in seiner Sparsamkeit ist, wurde ein neuer Maßstab gesetzt. Diese ultra-dünnen Wafer sind nur ein Viertel so dick wie ein menschliches Haar und halb so dick wie die derzeit fortschrittlichsten Wafer, wodurch Infineon seine Innovationskraft unter Beweis stellt.
Jochen Hanebeck, CEO von Infineon, erklärte: „Die weltweit dünnsten Silizium-Wafer beweisen, dass wir die technischen Grenzen der Leistungs-Halbleitertechnologie bis an ihr Limit treiben.“ Dieser Erfolg ermöglicht nicht nur eine Steigerung der Effizienz, sondern positioniert die Firma auch als Vorreiter in der Industrie und zeigt ihr Engagement für energieeffiziente Lösungen.
Wichtige Innovationen in der Stromversorgung
Die neue Ultradünnwafer-Technologie ist ein wesentlicher Fortschritt in der Entwicklung energieeffizienter Stromversorgungslösungen. Damit reagiert Infineon auf die globalen Trends der Dekarbonisierung und Digitalisierung. Die Halbierung der Waferdicke führt zu einer Reduzierung des Substratwiderstands um 50 Prozent, was wiederum Leistungsverluste in Power-Systemen erheblich senkt – um über 15 Prozent im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Wafern.
Diese Technologie ist besonders relevant für moderne Anwendungen, darunter KI-Rechenzentren und Motorsteuerungen. In welchen immer höhere Stromstärken benötigt werden, ermöglicht die neue Technologie eine vertikale Stromversorgungsanordnung. Dadurch können Spannungen effizient von 230 V auf weniger als 1,8 V für Prozessoren gesenkt werden, was die Gesamteffizienz der Systeme verbessert.
Technologische Herausforderungen gemeistert
Die Erreichung dieser Dünnwafer-Technologie erforderte erhebliche technische Innovationen. Infineon-Ingenieure mussten spezielle Schleifprozesse entwickeln und Herausforderungen wie Wafer-Bow (Krümmung) und Wafer-Separation erfolgreich überwinden. Letzteres hat Vorrang bei der stabilen Montage der Wafer, um ihre Robustheit sicherzustellen. Dabei bleibt die Integration der neuen Technologie in bestehende Produktionslinien kosteneffizient und ohne zusätzliche Produktionskosten.
Infineon hat bereits erste Erfolge bei der Anwendung der neuen Wafer-Technologie verzeichnen können. Diese Innovation wird sowohl in ihren Integrated Smart Power Stages als auch in anderen Geräten genutzt und demonstriert das starke Patentsystem, das die Firma im Bereich der 20-Mikrometer-Wafer-Technologie aufgebaut hat. Die Absicht, diese Herstellung im kommenden Zeitraum deutlich zu steigern, unterstreicht die marktführende Stellung von Infineon.
Diese Fortschritte festigen die einzigartige Marktposition von Infineon im Bereich der Halbleiterfertigung, mit einem umfassenden Produktportfolio, das sowohl Silizium- als auch Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-basierte Produkte umfasst. Diese Produkte sind entscheidend für fortschrittliche Anwendungen, die sowohl umweltfreundliche Lösungen als auch Fortschritte in der Digitalisierung erfordern.
Zusätzliche Entwicklungen, wie den Bau eines mobilen Quantencomputers in Zusammenarbeit mit Oxford Ionics, zeigen, dass Infineon weiterhin an der technologischen Spitze steht. Diese Initiativen bieten die Möglichkeit, Innovationen in der Zukunft zu gestalten und sind ein spannender Ausblick auf die kommenden Fortschritte im Technologiefeld.
