Infineon hat einen bemerkenswerten technologischen Fortschritt erzielt. Der Halbleitergigant hat die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für Leistungselektronik entwickelt. Dieses innovative Verfahren wurde in der Power-Fab in Villach, Österreich, umgesetzt und stellt einen bedeutenden Meilenstein in der Halbleiterindustrie dar. Der Durchbruch kommt zur richtigen Zeit, da der Markt für GaN-basierten Leistungshalbleiter voraussichtlich stark wachsen wird.
Der Produktionsvorstand von Infineon Austria, Thomas Reisinger, vergleicht diesen Erfolg mit der Erzeugung der ersten 300-mm-Dünnwaferscheiben, die 2011 in Villach erreicht wurde. Dieser aktuelle Fortschritt bedeutet, dass Infineon nun in der Lage ist, GaN auf bestehenden Produktionslinien für 300-mm-Silizium zu fertigen. Diese Kompetenzen, die bereits in der Siliziumproduktion vorhanden sind, erlauben eine schnelle und kosteneffiziente Integration der neuen Technologie.
Effizienz durch größere Wafer-Durchmesser
Ein entscheidender Vorteil dieser Technologie liegt in der Effizienz, die sie mit sich bringt. Der größere Durchmesser von 300 Millimetern ermöglicht die Herstellung von 2,3 mal so vielen Chips pro Wafer im Vergleich zu 200-mm-Wafern. Dies ist besonders wichtig in einem Markt, der nach einer schnelleren und kostengünstigeren Produktion verlangt. Insbesondere in den Bereichen Industrie, Automotive, Consumer Electronics sowie Rechen- und Kommunikationsanwendungen finden GaN-basierten Leistungshalbleiter Anwendung. Beispiele hierfür sind leistungsfähige Ladegeräte für elektronische Geräte sowie Systeme zur Motorsteuerung.
Infineon plant, seine Produktionskapazitäten für GaN weiter auszubauen, um den zukünftigen Marktbedürfnissen gerecht zu werden. Das Unternehmen geht davon aus, dass der Markt für GaN bis zum Ende des Jahrzehnts mehrere Milliarden Euro erreichen wird. Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG, hebt hervor, dass dieser technologische Durchbruch nicht nur die Position von Infineon als Marktführer im Bereich der Power-Systeme festigt, sondern auch die gesamte Branche verändern wird.
Stabilität von Lieferketten
Die 300-mm-GaN-Technologie sichert zudem die Versorgungsstabilität für Kunden durch ihre Skalierbarkeit. Infineon nutzt bestehende Produktionslinien und ermöglicht damit eine schnelle Einführung der Technologie ohne extreme Investitionen in neue Anlagen. Diese Vorgehensweise könnte die Wettbewerbsfähigkeit des Unternehmens erhöhen und gleichzeitig die Gesamtkosten für Endanwender senken. Die strategische Entscheidung, bestehende Infrastruktur zu nutzen, um GaN zu produzieren, zeigt das Engagement von Infineon für Innovation und Effizienz.
Die ersten 300-mm-GaN-Wafer werden voraussichtlich auf der Branchenmesse electronica im November 2024 in München präsentiert. Der Technologievorsprung, der sich aus dieser Entwicklung ergibt, könnte auch zur Entwicklung neuer Anwendungen und Produkte führen, die spezifische Anforderungen in diversen Märkten adressieren. Die Integration der GaN-Technologie unterstützt auch die globalen Trendrichtungen in der Dekarbonisierung und Digitalisierung, die für viele Unternehmen essenziell sind.
